講座內(nèi)容：傳統(tǒng)的薄膜晶體管一直是以低成本為主要特征的，而低遷移率限制了薄膜電子在更為高端層次上的應(yīng)用。因此，實現(xiàn)低成本、高性能薄膜晶體管，將會大大拓寬薄膜電子的應(yīng)用領(lǐng)域。尋找性能更加優(yōu)良的半導體材料體系，并開發(fā)與之兼容的高速、穩(wěn)定晶體管陣列成為當前薄膜晶體管發(fā)展的迫切需求之一。課題組主要針對高性能薄膜晶體管的一系列問題進行系統(tǒng)深入的研究，重點研究二維材料晶體管中柵介質(zhì)材料的界面問題，金屬氧化物/一維納米結(jié)構(gòu)復合薄膜器件潛力探索以及氧化鋅薄膜器件的穩(wěn)定性等問題。

1.利用溶膠凝膠法制備高性能非晶氧化銦鋅/單壁碳納米管復合薄膜。得到了高達140 cm²/V·s的場效應(yīng)遷移率，開關(guān)比約為10⁷的的薄膜晶體管。同時高機械性能的單壁碳納米管使得復合薄膜的機械柔韌性也得到了大幅度的提升。通過調(diào)節(jié)薄膜的組分，控制薄膜晶體管的開啟電壓，保持器件遷移率在～130 cm²/Vs左右，在工作電壓1伏的情況下，延遲時間可以達到2.2納秒。另外，我們也研究了基于非晶氧化物/納米線復合薄膜晶體管的光電器件，獲得了高透明度的多色可見光探測器件陣列。

2.研究基于二維硫化鉬的薄膜晶體管。由于硫化鉬材料表面缺乏懸掛鍵，很難用原子層沉積法獲得高質(zhì)量的介電材料。我們利用不同超薄金屬薄膜作為緩沖層，在低溫下在硫化鉬表面沉積高質(zhì)量的氧化鉿介電薄膜，研制出高電流密度和高遷移率的頂柵硫化鉬晶體管。并且利用這種頂柵晶體管組裝出高增益的反相器。

3.對傳統(tǒng)的氧化鋅薄膜晶體管進行可控摻雜和鈍化，獲得遷移率達到750px²/Vs，回滯小于1 V，高器件穩(wěn)定性的氧化鋅薄膜晶體管。